Samsung phát triển chip di động Exynos xung nhịp khủng 4 GHz

Trong khi Exynos 7420 trên Note 5 và 8890 trên Note 7 đều được phát triển trên quy trình công nghệ 14 nm thì Samsung cho biết Exynos 8895 sẽ mở ra một kỷ nguyên hoàn toàn mới cho công nghệ chip 10 nm.

Sức mạnh mà chip Exynos 8895 của Samsung đạt được lên đến 4 GHz là con số khá ấn tượng

Kết quả là chip di động của Samsung có sự gia tăng mạnh mẽ về hiệu suất, nhưng quan trọng hơn đó là sự giảm mạnh về khả năng tiêu thụ năng lượng tổng thể.

Câu hỏi đặt ra là làm thế nào để Samsung có thể tăng độ xử lý trên chip mới? Theo nguồn tin nội bộ cho biết, Samsung đang thăm dò lô thử nghiệm của Exynos 8890 chạy ở tốc độ 4 GHz với các lõi tùy biến mạnh mẽ, kết hợp lõi Cortex-A53 tốc độ 2,7 GHz. Tất cả kết hợp với nhau dựa trên kiến trúc big.Little của ARM. Tốc độ này cao hơn 30% so với 8890 với tốc độ tối đa trong thử nghiệm là 3 GHz.

Tất nhiên, đây là tốc độ xung nhịp đỉnh cao, nhiều khả năng sẽ được giới hạn thấp hơn rất nhiều cho một chiếc điện thoại khi bán ra thị trường, nhưng dù sao nó vẫn cho thấy tiềm năng của quá trình sản xuất 10 nm để cung cấp tốc độ thuộc diện khủng khiếp nếu cần thiết.

Một vấn đề rất được quan tâm đó là khả năng quá nhiệt. Qualcomm đã gặp khó khăn trong việc sản xuất chip Snapdragon hàng đầu khi xem xét đến việc cân bằng giữa sức mạnh và hiệu suất nhiệt. Trong khi Exynos 8895 có thể đạt tốc độ lên đến 4 GHz thì chip Snapdragon 830 của Qualcomm cũng chỉ đạt tối đa 3,6 GHz.

Dẫu thế nào đi chăng nữa thì hai phiên bản chip Exynos 8895 và Snapdragon 830 hứa hẹn một tương lai đầy tốt đẹp dành cho Galaxy S8, Note 7 hoặc bất kỳ điện thoại nào trong tương lai của Samsung.