Smartphone cao cấp Samsung sắp có bộ nhớ trong 256 GB
Đời sống - Ngày đăng : 17:13, 25/02/2016
Với công nghệ smartphone tăng mạnh như hiện nay, đặc biệt là khả năng quay phim độ phân giải cao, nhu cầu bộ nhớ trong tăng một cách mạnh mẽ. Chính vì vậy, việc Samsung tuyên bố bắt đầu sản xuất loạt bộ nhớ trong UFS dung lượng 256 GB dành cho các thiết bị di động cao cấp ngay trong năm 2016 này chắc chắn là một tin rất vui cho mọi người.
Chip nhớ NAND flash UFS 256 GB có thể sẽ có mặt trên Galaxy Note 6 và Galaxy S7 edge+ vào mùa thu năm nay?
Chip UFS của Samsung cung cấp tốc độ đọc mỗi giây 850 Mbps và tốc độ ghi 260 Mbps, cao gấp đôi so với ổ SSD thông thường và gấp ba lần thẻ nhớ gắn ngoài microSD, Samsung cho biết.
Bộ đôi Galaxy S7 và S7 edge vừa ra mắt của Samsung không có tùy chọn bộ nhớ trong 256 GB, do đó chip này có khả năng hướng đến ít nhất một phiên bản smartphone cao cấp mà Samsung sẽ ra mắt trong tương lai, rất có thể là Galaxy Note 6 hoặc Galaxy S7 edge+ nếu công ty tiếp tục cách thức tiếp cận thị trường vào năm ngoái.
“Chip mới sẽ được mang đến smartphone cao cấp thế hệ tiếp theo”, một phát ngôn viên của Samsung từ chối nêu tên sản phẩm hoặc khách hàng tiết lộ.
Chip nhớ UFS 256 GB của Samsung sẽ đáp ứng nhu cầu lưu trữ trên smartphone có màn hình lớn, độ phân giải siêu cao vốn cần bộ nhớ nhanh và cao trên kích thước nhỏ bé của nó.
Samsung hiện là nhà sản xuất chip nhớ lớn nhất thế giới. Công ty đã ra mắt thẻ UFS 128 GB hồi đầu tháng Hai năm ngoái, và đây là chip nhớ được Samsung trang bị trên biến thể Galaxy S6 ra mắt sau đó. Chip được phát triển dựa trên công nghệ sản xuất 3D V-NAND flash độc quyền của Samsung và một bộ điều khiển siêu nhỏ.
Smartphone hỗ trợ giao diện USB 3.0 sẽ nhận thấy khả năng xử lý dữ liệu của nó nhanh đến 10 lần, và nó cho phép người dùng chuyển video Full HD dung lượng 5 GB chỉ mất 12 giây, công ty cho biết.
Ngày càng nhiều smartphone hiện nay đang di chuyển từ định dạng bộ nhớ NAND flash eMMC sang định dạng UFS. Trong khi đó, với DRAM thì tiêu chuẩn DRAM 4 điện năng thấp (LPDDR4) đang thay thế cho LPDDR3 để đáp ứng những nhu cầu xử lý nội dung video chất lượng cao, công nghệ thực tế ảo (VR) hay các hoạt động yêu cầu xử lý dữ liệu bộ nhớ cao khác.