Intel phát triển công nghệ bộ nhớ flash rẻ hơn, dung lượng lớn hơn

Cả Intel, Micron và Toshiba đều hy vọng công nghệ bộ nhớ flash mới của mình sẽ được áp dụng cho cả smartphone, tablet và laptop cao cấp.

Hiện tại, smartphone và tablet thường không có đủ chỗ cho tất cả các ứng dụng, hình ảnh, video và nhạc. Người mua laptop phải quyết định giữa việc chọn ổ cứng với giá rẻ cùng không gian lưu trữ rộng rãi hơn, nhưng tốc độ chậm hơn so với ổ SSD đắt tiền hơn.

Theo thông báo từ Intel, công ty sẽ cùng với Micron hợp tác phát triển loại chip nhớ flash mới có dung lượng lưu trữ gấp ba lần công nghệ đến từ Samsung hiện nay. Còn Toshiba, công ty cũng công bố một chip mới cạnh tranh với công nghệ của Samsung với mục tiêu chính là tạo ra áp lực về giá thành so với sản phẩm đến từ công ty Hàn Quốc.

Chip nhớ flash mới sẽ giúp mở ra tương lai về ổ đĩa flash có kích thước chỉ bằng một thanh kẹo cao su, nhưng có dung lượng lên đến 3,5 TB. Đây là điều rất hứa hẹn, bởi các máy tính xách tay ngày nay đi kèm với ổ SSD 1 TB có giá bán khá cao.

Cả hai mẫu thiết kế chip mới cùng với công nghệ chip mà Samsung ra mắt năm ngoái sẽ tiếp cận với công nghệ sản xuất chip nhớ 3D, xếp chồng các thành phần nhớ lên nhau, giống như đầu tư vào tòa nhà cao tầng thay vì mở rộng diện tích xây dựng. Được biết, công nghệ 3D được xem là cách để giúp định luật Moore tiếp tục được duy trì.

Theo cách thức bố trí của Intel và Micron, họ sẽ mang đến hai lựa chọn bố trí sắp xếp các bit dữ liệu. Đầu tiên là 2 bit/tế bào nhớ, mang đến tổng khả năng lưu trữ mỗi bộ nhớ là 256 Gb (gigabit). Thứ hai là 3 bit/tế bào nhớ, mang đến tổng khả năng lưu trữ mỗi lớp bộ nhớ là 384 Gb.

Còn với Toshiba, họ sẽ đặt 2 bit/tế bào nhớ với tổng khả năng lưu trữ mỗi lớp bộ nhớ là 128 Gb.

Intel và Micron sẽ đặt 32 lớp bộ nhớ flash chồng lên nhau trong mỗi chip nhớ, giống như cách của Samsung, còn Toshiba sẽ tiến xa hơn một chút với 48 lớp bộ nhớ flash. Các lớp bộ nhớ sẽ được gắn vào cùng một gói bộ nhớ với tổng số 16 chip nhớ, mang đến dung lượng 768 GB chỉ trong kích thước của một ngón tay. Các công ty đã cung cấp mẫu đầu tiên của mình, và Intel-Micron hy vọng sẽ xuất xưởng sản phẩm hoàn thiện vào cuối năm nay.

Để so sánh, các smartphone cao cấp hiện nay chỉ đi kèm với 128 GB bộ nhớ flash, còn MacBook của Apple mang đến hai tùy chọn bộ nhớ flash là 256 GB và 512 GB.

Sự chênh lệch giá của các mức dung lượng trên sản phẩm Apple là 400 USD, mặc dù giá cao hơn đi kèm với bộ vi xử lý nhanh hơn một chút. Còn laptop cao cấp Dell M3800, để nâng cấp ổ SSD từ 256 GB lên 512 GB mất 434 USD, và lên 1 TB mất 735 USD.

Vì vậy, rất hy vọng những gì mà Intel, Micron và Toshiba đang phát triển có thể mở ra tương lai tốt hơn cho ngành công nghệ bộ nhớ flash. Thống kê trong quý 4 năm ngoái, Samsung chiếm 28% thị trường bộ nhớ flash, mối quan hệ giữa Intel và Micron chiếm 22% (Micron có 14%, Intel có 8%), còn Toshiba đạt 22% nhưng đang có dấu hiệu sụt giảm.

Mặc dù flash được xem là một thành công lớn trong ngành công nghiệp máy tính, nhưng hiện tại đang có nhiều công nghệ tốt hơn khác hứa hẹn sẽ thay thế flash. IBM là một trong số những công ty phát triển công nghệ bộ nhớ PCM, còn Crossbar đang hy vọng sẽ phát triển công nghệ chip nhớ 1 TB bằng cách sử dụng công nghệ RRAM.